笔记本内存条知识

时间：2023-12-13 08:49:10 笔记我要投稿

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笔记本内存条知识

笔记本内存条知识1

　　目前主流的笔记本内存规格

笔记本内存条知识

　　目前市场是比较常见的内存条的一般都是DDR2和DDR3这两种。一般都是512MB、1G、2G的。DDR3是目前最主流的。但是也是最贵的笔记本内存条。

　　笔记本内存条中间有一个小卡口，而且不在正中间，这样能避免插反。我做了个笔记本内存插法的图片。

　　笔记本内存的安装方法图

　　笔记本内存安装方法

　　笔记本内存条安装方法

　　这就是叠起来插两根内存条的笔记本内存插槽。

　　笔记本内存概况

　　由于笔记本电脑整合性高，设计精密，对于内存的要求比较高，笔记本内存必须符合小巧的特点，需采用优质的元件和先进的工艺，拥有体积小、容量大、速度快、耗电低、散热好等特性。出于追求体积小巧的考虑，大部分笔记本电脑最多只有两个内存插槽。由于笔记本的`内存扩展槽很有限，因此单位容量大一些的内存会显得比较重要。而且这样做还有一点好处，就是单位容量大的内存在保证相同容量的时候，会有更小的发热量，这对笔记本的稳定也是大有好处的。

　　现代DDR2 667 2G笔记本内存

　　这个667的意思是内存的工作频率，越高越好，目前最高的是1333MHz

　　DDR2和DDR3笔记本内存

　　DDR2和DDR3：大家知道SDRAM内存传输数据时一次只能传输1 bit的数据，在SDRAM内存上发展起来的DDR ,DDR2,DDR3，一次分别能传输2 bit ，4 bit，8 bit的数据。DDR 2的工作频率从667MHZ到1066MHZ不等，工作电压为 1.8V；DDR3 工作频率从1066MHz到1666MHZ，工作电压为1.5V。因此，从DDR2到DDR3，性能更好，功耗更低。

笔记本内存条知识2

　　电脑内存条购买注意事项

　　1. 尽量和你原来的笔记本要同品牌（建议）。

　　2. 容量可以不同，频率最好相同

　　3. 如果是游戏发烧友的话，不但以上参数要匹配，最好连内存条生产周都要相同，这样最稳定.

　　4.只要弄清楚你笔记本是DDR400 DDR2 800 DDR3 1333哪种类型的内存就好了。插槽不用去管。

　　5.首先看你的主板最大支持多大的内存，然后买同代、同频率的即可，品牌可以不同，因为都是通用的行业标准

　　6.要注意同代同频率，一般就这两个7.

　　7.下载一个鲁大师之类的，硬件检测就可以看出来，DDR2 是内存类型，后面的数字是工作频率！百度搜索了下，你的'本本最多支持2G内存，根据你的本本型号，2代内存，极有可能是667MHZ的，你可以买800MHZ的，内存可以降频使用，方便以后升级！当然你买667的也没有问题！

笔记本内存条知识3

　　1.品牌

　　笔记本的内存分品牌、DDR代数、规格、大小以及显存颗粒的品牌。品牌大家应该都了解，任何产品都有生产商。笔记本用内存品牌比较有名的比如金士顿、三星、南亚以及海力士之类的，这些品牌的内存条在笔记本上面用的非常的广泛。

　　2.DDR代数

　　其次是DDR代数，进过多年的技术改革，内存条已经开始广泛使用第三代内存了。而在使用的笔记本中其实还是以二代内存居多，一代显得有点少了。大小就不用疑问了，基本上现在最小的都是2GB了，标准4GB内存，笔记本的内存条最大的容量已经达到16GB，当然这是能够在市场上面见得到的，至于更高级的我们可能见不到。

　　3.显存颗粒

　　显存颗粒，就是内存条板材上面的黑色小芯片，内存好不好，内存颗粒就有着很大的决定性。有可能你买的是金士顿的内存条，但是上面确实海力士的显存颗粒，这种内存条在我们看来就不是特别好，要品牌与内存颗粒是一样的.，质量会更好。

　　以上说的是关于笔记本内存条方面的知识，我们来说如果新加的内存条与本机不兼容，会有什么情况出现。内存条加好了，电脑就能够运行的更畅快，如果你添加的内存条与电脑不兼容，直接一点的就是电脑一开机就会蓝屏，如果不把新加的条子拿下来就什么都解决不了。情况好一点的就是电脑越来越卡了，还没有以往的速度，最好不过的就是与以往的速度没有什么区别。这就是浪费资源了。

　　内存条的添加其实很简单，你要知道自己笔记本里面是使用的什么内存条，比如三星DDR2 800 1G的内存条，那么你如果要加1G的话，也要完全按照这个规格来，不能去搞个DDR2 667 1G的，这就有点冲突了。或者更直接一点的就是抛弃原先的条子，直接上一根其他品牌的4G或者8GB内存（笔记本要最大支持为前提），这样也会有很好的效果。

笔记本内存条知识4

　　ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

　　ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

　　RAM有两大类，一种称为静态RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、 EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

　　DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

　　内存工作原理：

　　内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入 DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

　　ROM

　　也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

　　举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。

　　DRAM

　　利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。

　　SRAM

　　利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。

　　以上主要用于系统内存储器，容量大，不需要断电后仍保存数据的。

　　PSRAM

　　PSRAM ，假静态随机存储器。具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6TSRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

　　基本原理：PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。

　　PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。

　　PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

　　FLASH

　　存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的.20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。

　　Flash ROM

　　是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom写入前需要用电进行擦除，而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行，flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于bios，U盘，Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

　　NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

　　NAND Flash和NOR Flash的比较

　　NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。象"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

　　NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码；NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR型）flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。

　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

　　1、性能比较:

　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：

　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。

　　● NAND的写入速度比NOR快很多。

　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

　　(注：NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6s。)

　　2、接口差别:

　　NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

　　3、容量和成本:

　　NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

　　NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

　　4、可靠性和耐用性:

　　采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

　　A) 寿命(耐用性)

　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

　　B) 位交换

　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。

　　如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

　　C) 坏块处理

　　NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

　　5、易于使用:

　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。

　　由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

　　在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

　　6、软件支持:

　　当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

　　NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商，曾经是FLASH的主流产品，但现在被NAND FLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵。

　　NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝，在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH，由于工艺上的不同，它比NOR FLASH拥有更大存储容量，而且便宜。但也有缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。

　　在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行，挺麻烦的。

笔记本内存条知识5

　　笔记本电脑内存故障较少，尤其是原装内存。如果内存出现问题，系统将无法启动。根据使用的BIOS的不同，有不同的报警声，多数为连续不断的长嘀声，或者是连续不断的短嘀声。

　　解决的方法是打开内存槽的盖板更换内存，通常不用购买原装内存(价格昂贵)。注意笔记本电脑使用的内存与台式机不同，长度只有台式机内存的一半。

　　1．内存不规范：目前大多数笔记本电脑使用的是PC100或者PC133规格的内存；这些内存都应该有一个SPD芯片来存储内存的基本参数和规格，以提供BIOS识别和系统调用，但是一些杂牌的内存是没有SPD芯片或者是只用一块针脚相同的空芯片来冒充SPD芯片。这样的内存能用便是侥幸，稳定性毫无保障，对于没有SPD芯片的内存，不管价格多么便宜都建议你不要购买。此外，有些较老的机器使用的是144针的.EDO内存，这种内存和SDRAM 的封装完全相同，外观也看不出来，最高容量为128M，不过其工作电压为5V而不是SDRAM的3.3V，如果误插了SDRAM就很可能被烧毁。

　　2．内存的形状问题：主要是指内存的高度和厚度问题，因为采用单面封装因此比较薄，当年的一些笔记本电脑没有在内存插槽中预留足够的空间，结果就是现在的大容量高板双面内存安装不下。

　　3．内存的兼容性问题：这个问题对于Compaq和IBM的超轻薄机器尤为常见，即使是KingSton；KingMax这样的内存大牌子也可能出现问题，因此最好不要不试机就盲目的买，插上内存条认到正确的容量是基本的要求，如果是机器都开不了的黑屏或者嘀嘀的报错那就根本不用考虑，然后将机器置于待机状态，看看能否正常的唤醒。最好是可以用一些内存测试软件（推荐DocMem）跑一下看看稳定性如何。

　　4．耗电量和发热问题：许多用户在升级内存后发现自己的电池寿命缩短了，而且整机的发热加大，这主要是新加入的内存在工作的时候发热所至，通常两条内存的机器比一条内存的机器热一些（两个发热源），而且内存工作的时候是需要耗电的，耗电量加大也是正常。

　　5．最大内存支持的问题：目前市面上所销售的笔记本电脑内存从单条64M到单条256M（SDRAM）都有。有时我们会遇到单条256M只认成128M的情况，这就是最大内存支持的问题，这个问题和主板的芯片组及笔记本电脑的BIOS都有关系，至于厂商的BIOS也对最大内存总量有影响，如果厂商在BIOS中限制了最大的内存量，则无论如何都不可能超过这个设置。

　　6．关于专用内存：专用内存通常用于超轻薄的小机器，是厂商为了减小机器的体积而设计的，Toshiba，SONY，Fujitsu和 Sharp等日系厂家最喜欢这样做。而欧美的厂家则极少有采用专用内存的产品。

　　由于是为特定机器定做，这些内存的成本较高，相应的售价昂贵，但是不会有兼容性和质量问题，在选购内存之前，请注意你自己的机器是否是专用内存。下图就是SONY和Toishiba机器专用内存与笔记本电脑通用SODIMM内存的比较。

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