SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点:可以实现集成电路中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势,因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。此外,SOI材料还被用来制造MEMS光开关,如利用体微机械加工技术。
SOI应用范围:
除了特异的优点,在集成电路中使用外,还被用于微光机电MEMS系统的制造,如3D反射镜阵列开关。该反射镜是在SOI衬底的'活性层中形成可动反射镜,与另一台阶状电极的衬底连接而成。由于使用单晶硅衬底,且在可动反射镜,直径500微米,的上下面上对称的以同一条件而形成反射膜等,因此,具有10纳米级的翘曲与数十纳米的表面粗糙度。